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信息化时代,手机等电子产品全面普及,伴随网络生活节奏加快,手机电池容量逐渐加大,消费者迫切需要实现电子产品快速充电,快速充电器的发展和普及缓解了消费者充电的烦恼。实现快速充电需要提高充电功率,增加面积。充电器作为移动电子设备配件,体积需要小型化以方便随身携带,电源效率温升产生了矛盾。这就催动中低压MOSFET(BVDSS:60V-100V同步整流电路,解决大功率,小面积,高效率,低温升等问题。

为了顺应市场发展规律,亚投cmd368采用新型电荷平衡技术,成功设计出性能优秀的低压SpeedFET。相比于传统TRENCH-MOSFETSpeedFET的开关速度更快,开关损耗更低,具有更好的器件性能。全面提升了器件的开关特性和导通特性,同时降低了器件的导通电阻和栅极电荷,应用效率高、损耗低、速度快。以下是与传统Trench工艺MOS特点对比:

产品特点一、小面积:相同芯片面积下,SpeedFET的ID@25℃提高约50%;

产品特点二、高效率:SpeedFET的导通更低,同时Cgd只是传统Trench工艺的30%,米勒效应时间短,开通损耗大大降低(图一)。

产品特点三、高速度:SpeedFET的动态参数(电荷、电容等)是传统Trench工艺的30%,开关速度得到有效的增加(图三)。

产品特点四、低EMI:SpeedFET因面积、动态参数小的原因,EMI更小。

产品特点五、小型化:DFN小型化封装、clip先进压焊,实现产品的低导通、小型化、高散热能力。低封装寄生参数,较低的 Ciss 和 Coss,可以降低硬开关拓扑中的开关损耗。

图一:Gate Charge Waveform

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图二、EMI测试

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图三、开关特性(上图普通TRENCH-MOSFET,下图SpeedFET)